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元件参数资料
>
参数目录43839
> FDMS8670S MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
型号:
FDMS8670S
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDMS8670S PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Plating Material Change 13/June/2007
Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009
产品目录绘图
Power56 Single
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
73nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4000pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PQFN,Power56
供应商设备封装
Power56
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDMS8670SCT
查看FDMS8670S代理商
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